元器件型号详细信息

原厂型号
SSM6N62TU,LXHF
摘要
SMOS LOW RON DUAL NCH ID:0.8A, V
详情
MOSFET - 阵列 20V 800mA(Ta) 500mW(Ta) 表面贴装型 UF6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平栅极,1.2V 驱动
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
85 毫欧 @ 800mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
177pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW(Ta)
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD,扁平引线
供应商器件封装
UF6
基本产品编号
SSM6N62

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

264-SSM6N62TULXHFTR
264-SSM6N62TULXHFDKR
264-SSM6N62TULXHFCT
SSM6N62TU,LXHF(B

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU,LXHF

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规格书
1(SSM6N62TU)
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1(Term of Use Statement)

价格

数量: 75000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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单价: $1.06842
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最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 1000
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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