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GermanyDMN67D8L-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN67D8L-13
摘要
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 210mA（Ta） 340mW（Ta） SOT-23-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
22 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
210mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.82 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
340mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
DMN67
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN67D8L-13
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规格书
1(DMN67D8L)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
价格
数量: 250000
单价: $0.15432
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
数量: 100000
单价: $0.17404
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
替代型号
型号 : DMN67D8L-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 181,674
单价. : ¥1.67000
替代类型. : 参数等效
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替代类型. : 参数等效
型号 : 2N7002,235
制造商 : Nexperia USA Inc.
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型号 : NX7002AK,215
制造商 : Nexperia USA Inc.
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型号 : PMBF170,215
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 286,447
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥3.10000
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型号 : T2N7002AK,LM
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 73,504
单价. : ¥1.19000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥1.19000
替代类型. : 类似