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元器件型号详细信息
原厂型号
70V3579S6BCI8
摘要
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
详情
SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 1.125Mb 并联 6 ns 256-CABGA（17x17）
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
24 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 双端口，同步
存储容量
1.125Mb
存储器组织
32K x 36
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
-
访问时间
6 ns
电压 - 供电
3.15V ~ 3.45V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
256-LBGA
供应商器件封装
256-CABGA（17x17）
基本产品编号
70V3579
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
4（72 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
IDT70V3579S6BCI8
IDT70V3579S6BCI8-ND
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Renesas Electronics America Inc 70V3579S6BCI8
相关文档
规格书
1(70V3579S)
PCN 设计/规格
1(All Dev Label Chg 1/Dec/2022)
价格
数量: 1000
单价: $1093.30636
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
替代型号
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