元器件型号详细信息

原厂型号
IRLR8729PBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 58A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1350 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
55W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-IRLR8729PBF-IT
SP001574172
INFINFIRLR8729PBF

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRLR8729PBF

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1(IRL(R,U)8729PbF)
仿真模型
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价格

数量: 1125
单价: $2.97836
包装: 管件
最小包装数量: 1125

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