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元器件型号详细信息
原厂型号
TSM680P06DPQ56 RLG
摘要
MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
详情
MOSFET - 阵列 60V 12A（Tc） 3.5W 表面贴装型 8-PDFN（5x6）
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
68 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
870pF @ 30V
功率 - 最大值
3.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-PDFN（5x6）
基本产品编号
TSM680
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM680P06DPQ56 RLGDKR
TSM680P06DPQ56 RLGCT
TSM680P06DPQ56RLGCT
TSM680P06DPQ56 RLGTR-ND
TSM680P06DPQ56RLGTR
TSM680P06DPQ56 RLGDKR-ND
TSM680P06DPQ56 RLGTR
TSM680P06DPQ56RLGDKR
TSM680P06DPQ56 RLGCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06DPQ56 RLG
相关文档
规格书
1(TSM680P06D)
环保信息
()
EDA 模型
1(TSM680P06DPQ56 RLG by SnapEDA)
价格
数量: 2500
单价: $8.7808
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $9.43121
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $11.38252
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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数量: 100
单价: $13.8543
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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替代型号
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