元器件型号详细信息

原厂型号
FDD3670
摘要
MOSFET N-CH 100V 34A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 34A(Ta) 3.8W(Ta),83W(Tc) TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
26 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
80 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2490 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
FDD367

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FDD3670-ND
FDD3670CT
FDD3670TR
FDD3670DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDD3670

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PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Multi Dev 29/Sep/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FDD3670)

价格

数量: 2500
单价: $11.26718
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $11.86022
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $14.06274
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $16.5199
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带(CT)
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最小包装数量: 1
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数量: 10
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $22.42
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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