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GermanyF3L200R07W2S5FB11BOMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
F3L200R07W2S5FB11BOMA1
摘要
IGBT MODULE LOW POWER EASY
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 650 V 95 A 20 mW 底座安装 AG-EASY2B
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
78 周
EDA/CAD 模型
标准包装
15
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
EasyPACK™, TRENCHSTOP™
包装
托盘
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三级反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
95 A
功率 - 最大值
20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.38V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
14.3 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-EASY2B
基本产品编号
F3L200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-F3L200R07W2S5FB11BOMA1-448
448-F3L200R07W2S5FB11BOMA1
SP003597026
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies F3L200R07W2S5FB11BOMA1
相关文档
规格书
1(F3L200R07W2S5F_B11)
特色产品
1(Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Site Add 1/Sep/2022)
价格
数量: 90
单价: $671.48556
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
数量: 30
单价: $721.97333
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
替代型号
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