STB35N60DM2

元器件型号详细信息

原厂型号

STB35N60DM2

摘要

MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 28A（Tc） 210W（Tc） D²PAK（TO-263）

原厂/品牌

STMicroelectronics

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ DM2

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

28A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

110 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

54 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2400 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

210W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D²PAK（TO-263）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

STB35

其它名称

497-16357-6

497-16357-1

497-16357-2

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB35N60DM2

价格

数量: 2000

单价: $24.63766
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $25.93433
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $30.7507
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $36.1228
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $44.09
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $49.05
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $30.7507
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $36.1228
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $44.09
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $49.05
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPB60R099CPATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,446
单价. : ¥74.73000
替代类型. : 类似

TCMD-05-T-02.00-01-N FW-14-04-G-D-305-075 895-126-558-808 P39/22/MHIA HMC220AMS8

STB35N60DM2

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