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GermanyBSP135L6327HTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSP135L6327HTSA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4-21
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 94µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.9 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
146 pF @ 25 V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4-21
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000089206
BSP135 L6327-ND
BSP135 L6327
BSP135L6327XT
2156-BSP135L6327HTSA1-ITTR
INFINFBSP135L6327HTSA1
BSP135L6327HTSA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSP135L6327HTSA1
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价格
-
替代型号
型号 : BSP135H6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥12.08000
替代类型. : 参数等效
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型号 : BSP135H6906XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥6.94000
替代类型. : 参数等效
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型号 : CPC3960ZTR
制造商 : IXYS Integrated Circuits Division
库存 : 11,158
单价. : ¥7.08000
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