IPB020N04NGATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB020N04NGATMA1

摘要

MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7

详情

表面贴装型 N 通道 40 V 140A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

140A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 95µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

120 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

9700 pF @ 20 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

167W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-7-3

封装/外壳

TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

基本产品编号

IPB020

其它名称

IPB020N04NGATMA1TR

2156-IPB020N04NGATMA1

IPB020N04N GDKR-ND

IFEINFIPB020N04NGATMA1

IPB020N04NGATMA1DKR

IPB020N04N GCT

IPB020N04N GDKR

IPB020N04N GTR-ND

IPB020N04NG

SP000359157

IPB020N04NGATMA1CT

IPB020N04N GCT-ND

IPB020N04N G-ND

IPB020N04N G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB020N04NGATMA1

价格

数量: 5000

单价: $10.79845
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $11.21378
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $12.04442
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $14.5364
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $17.6925
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $22.013
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $24.49
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $14.5364
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $17.6925
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $22.013
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $24.49
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : FDB024N04AL7

制造商 : onsemi
库存 : 800
单价. : ¥39.83000
替代类型. : 类似

RS73G2BTTD95R3C PCM-3362N-S6A1E 126381 GBE43DHHT CX10S-BAGC0B-P-A-DK00000

IPB020N04NGATMA1

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