STP11N60DM2

元器件型号详细信息

原厂型号

STP11N60DM2

摘要

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

详情

通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 110W（Tc） TO-220

原厂/品牌

STMicroelectronics

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ DM2

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

420 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

16.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

614 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

110W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

STP11

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STP11N60DM2

价格

数量: 10000

单价: $6.13784
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 5000

单价: $6.29936
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $6.54166
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $7.0262
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $8.47984
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $10.3214
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $12.839
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $14.31
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : FCP600N60Z

制造商 : onsemi
库存 : 402
单价. : ¥20.03000
替代类型. : 类似

型号 : IXFP16N60P3

制造商 : IXYS
库存 : 54
单价. : ¥45.47000
替代类型. : 类似

型号 : IPP60R600P7XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 453
单价. : ¥13.99000
替代类型. : 类似

型号 : IXTP8N70X2M

制造商 : IXYS
库存 : 12
单价. : ¥27.03000
替代类型. : 类似

型号 : IXTP8N70X2

制造商 : IXYS
库存 : 28
单价. : ¥33.95000
替代类型. : 类似

型号 : IXTP14N60P

制造商 : IXYS
库存 : 230
单价. : ¥38.24000
替代类型. : 类似

LAA126 307-036-522-268 SFSD-25-30-G-31.50-SS 709289L7PF8 GBB33DHBN

STP11N60DM2

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号