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GermanyIDM08G120C5XTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IDM08G120C5XTMA1
摘要
DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
详情
二极管 1200 V 8A 表面贴装型 PG-TO252-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
60 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™+
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
1200 V
电流 - 平均整流 (Io)
8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.95 V @ 8 A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
40 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容
365pF @ 1V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-2
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
IDM08G120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
2156-IDM08G120C5XTMA1
IDM08G120C5XTMA1DKR
IDM08G120C5XTMA1CT
INFINFIDM08G120C5XTMA1
SP001162122
IDM08G120C5XTMA1-ND
IDM08G120C5XTMA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Infineon Technologies IDM08G120C5XTMA1
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HTML 规格书
1(IDM08G120C5)
仿真模型
1(SiC Diodes CoolSiC™ Generation 5 1200V IDMxxG120 Spice Model)
价格
数量: 2500
单价: $24.77984
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $24.77985
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $28.24568
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $33.1805
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $40.497
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $45.08
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $24.77985
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $28.24568
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最小包装数量: 1
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数量: 100
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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