元器件型号详细信息

原厂型号
FGA15N120ANTDTU
摘要
IGBT 1200V 30A 186W TO3P
详情
IGBT NPT 和沟道 1200 V 30 A 186 W 通孔 TO-3P
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V,15A
功率 - 最大值
186 W
开关能量
3mJ(开),600µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
120 nC
25°C 时 Td(开/关)值
15ns/160ns
测试条件
600V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
330 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
基本产品编号
FGA15N120

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGA15N120ANTDTU

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规格书
1(FGA15N120ANTD)
环保信息
()
HTML 规格书
1(FGA15N120ANTD)
EDA 模型
1(FGA15N120ANTDTU by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : NGTB15N120IHRWG
制造商 : onsemi
库存 : 15
单价. : ¥27.98000
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型号 : IGW15T120FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 235
单价. : ¥37.13000
替代类型. : 类似