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GermanyIPI80N04S303AKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPI80N04S303AKSA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详情
通孔 N 通道 40 V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
188W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO262-3
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
IPI80N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPI80N04S3-03
INFINFIPI80N04S303AKSA1
2156-IPI80N04S303AKSA1
IPI80N04S3-03-ND
SP000261238
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPI80N04S303AKSA1
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规格书
1(IPx80N04S3-03)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 9/Sep/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019)
HTML 规格书
1(IPx80N04S3-03)
仿真模型
1(OptiMOS-T-40V-Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPB80N04S403ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
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