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GermanySIR578DP-T1-RE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIR578DP-T1-RE3
摘要
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 17.2A（Ta），70.2A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
88 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen V
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17.2A（Ta），70.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2540 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIR578DP-T1-RE3
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规格书
1(SIR578DP)
特色产品
1(MOSFETs in 5G)
PCN 组装/来源
1(New Solder Plating Site 18/Apr/2023)
HTML 规格书
1(SIR578DP)
价格
数量: 3000
单价: $8.16968
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 1000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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替代型号
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