元器件型号详细信息

原厂型号
RGW60TS65GC11
摘要
IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 178 W 通孔 TO-247N
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V,30A
功率 - 最大值
178 W
开关能量
480µJ(开),490µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
84 nC
25°C 时 Td(开/关)值
37ns/114ns
测试条件
400V,30A,10 欧姆,15V
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
基本产品编号
RGW60

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGW60TS65GC11

相关文档

规格书
1(RGW60TS65)
产品培训模块
()
特色产品
()

价格

数量: 1000
单价: $21.60697
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $25.34646
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $29.7744
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $36.338
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $40.46
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

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