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GermanyTSM052N06PQ56 RLG
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM052N06PQ56 RLG
摘要
MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3686 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PDFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM052N06PQ56 RLGCT-ND
TSM052N06PQ56 RLGDKR
TSM052N06PQ56 RLGDKR-ND
TSM052N06PQ56RLGDKR
TSM052N06PQ56RLGCT
TSM052N06PQ56 RLGTR
TSM052N06PQ56 RLGTR-ND
TSM052N06PQ56RLGTR
TSM052N06PQ56 RLGCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM052N06PQ56 RLG
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环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 3/Aug/2018)
价格
-
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