元器件型号详细信息

原厂型号
BSC886N03LSGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 13A(Ta),65A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A(Ta),65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2100 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),39W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC886

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

BSC886N03LS GTR-ND
BSC886N03LS GDKR-ND
BSC886N03LS GCT-ND
BSC886N03LSGATMA1CT
BSC886N03LSGATMA1DKR
BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GDKR
BSC886N03LS G-ND
2156-BSC886N03LSGATMA1
BSC886N03LSGATMA1TR
SP000475950
IFEINFBSC886N03LSGATMA1
BSC886N03LS G
BSC886N03LSG

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSC886N03LSGATMA1

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PCN 封装
()
PCN 其他
1(Multiple Changes 09/Jul/2014)
HTML 规格书
1(BSC886N03LS G)

价格

-

替代型号

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