English
Spain
Rusia
Italy
GermanyBSO615NGHUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSO615NGHUMA1
摘要
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 60V 2.6A 2W 表面贴装型 PG-DSO-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 2.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
380pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
PG-DSO-8
基本产品编号
BSO615
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSO615NG
BSO615NGINDKR-ND
BSO615N G-ND
BSO615NGHUMA1TR
BSO615NGXT
BSO615NXTINTR
BSO615NXTINTR-ND
BSO615NGHUMA1DKR
BSO615NXTINCT-ND
BSO615NGINDKR
BSO615NGINTR-NDR
BSO615NT
BSO615NGINCT-NDR
BSO615NGINDKR-NDR
BSO615NGINCT-ND
BSO615N G
BSO615NGINTR-ND
SP000216316
BSO615NGT
BSO615NGHUMA1CT
BSO615NXTINCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSO615NGHUMA1
相关文档
规格书
1(BSO 615NG)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Site Chg 28/Aug/2019)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(BSO 615NG)
价格
-
替代型号
型号 : BSO615NGXUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 27,196
单价. : ¥9.30000
替代类型. : 直接
库存 : 27,196
单价. : ¥9.30000
替代类型. : 直接
型号 : IRF7103TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1
单价. : ¥7.79000
替代类型. : 类似
库存 : 1
单价. : ¥7.79000
替代类型. : 类似
型号 : STS4DNF60L
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥18.28000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥18.28000
替代类型. : 类似