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GermanyRSD221N06TL
元器件型号详细信息
原厂型号
RSD221N06TL
摘要
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 22A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
850mW（Ta），20W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
CPT3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
RSD221
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RSD221N06TL
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规格书
1(RSD221N06)
价格
数量: 2500
单价: $5.16537
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
替代型号
型号 : IRLR3105TRPBF
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