English
Spain
Rusia
Italy
Germany2SK3564(STA4,Q,M)
元器件型号详细信息
原厂型号
2SK3564(STA4,Q,M)
摘要
MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
详情
通孔 N 通道 900 V 3A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
π-MOSIV
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220SIS
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
2SK3564
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564(Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564Q-ND
2SK3564(STA4Q)-ND
2SK3564STA4QM
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564(STA4,Q,M)
相关文档
规格书
()
特色产品
1(Server Solutions)
HTML 规格书
1(Mosfets Prod Guide)
EDA 模型
1(2SK3564(STA4,Q,M) by Ultra Librarian)
价格
数量: 10000
单价: $4.98954
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $5.18445
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $5.45731
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $5.84708
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $7.40632
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $8.9655
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.503
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.88
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-