English
Spain
Rusia
Italy
GermanyRN1131MFV(TL3,T)
元器件型号详细信息
原厂型号
RN1131MFV(TL3,T)
摘要
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基极 (R1)
100 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
120 @ 1mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
功率 - 最大值
150 mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-723
供应商器件封装
VESM
基本产品编号
RN1131
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单，预偏置双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV(TL3,T)
相关文档
规格书
1(RN1131,1132MFV)
EDA 模型
1(RN1131MFV(TL3,T) by Ultra Librarian)
价格
数量: 2000
单价: $0.29232
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $0.34391
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $0.50434
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $0.8196
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $1.503
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $1.67
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
-