IPD30N03S2L20ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD30N03S2L20ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3-11

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

26 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

20 毫欧 @ 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 23µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

19 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

530 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

60W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD30N03

其它名称

SP000254466

2156-IPD30N03S2L20ATMA1

IPD30N03S2L20ATMA1CT

IPD30N03S2L-20-ND

IPD30N03S2L20ATMA1TR

INFINFIPD30N03S2L20ATMA1

IPD30N03S2L20ATMA1DKR

IPD30N03S2L-20

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD30N03S2L20ATMA1

价格

数量: 12500

单价: $4.28028
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $4.44748
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $4.68154
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $5.01591
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.35356
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.6907
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $9.866
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $11.05
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $5.01591
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.35356
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.6907
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $9.866
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $11.05
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : SUD50N03-06AP-E3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 5,435
单价. : ¥12.32000
替代类型. : 类似

FMP200JT-52-24R ERJ-H3ED2801V SSW-110-02-T-P-RA-001 WR08X78R7FTL 510AAA125M000BAG

IPD30N03S2L20ATMA1

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