IPD60R600E6

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD60R600E6

摘要

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ E6

包装

卷带（TR）

产品状态

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

600 毫欧 @ 2.4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

20.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

440 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

63W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD60R

其它名称

IPD60R600E6-ND

IFEINFIPD60R600E6

IPD60R600E6BTMA1

SP000797374

IPD60R600E6DKR

IPD60R600E6TR

2156-IPD60R600E6

IPD60R600E6CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD60R600E6

价格

数量: 12500

单价: $4.19801
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $4.36198
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $4.59158
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1

单价: $10.81
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $10.81
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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替代类型. : 类似

型号 : STD12N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,495
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似

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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 30
单价. : ¥21.54000
替代类型. : 类似

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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,500
单价. : ¥19.64000
替代类型. : 类似

型号 : STD10NM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 4,910
单价. : ¥22.50000
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型号 : STD9N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥11.69000
替代类型. : 类似

CPS19-LA00A10-SNCSNCWF-RI0WYVAR-W1013-S C1206X159D1HACAUTO KAI-2020-AAA-CF-BA IRFIBE30GPBF NCP4640H120T1G

IPD60R600E6

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