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GermanyDMG6602SVTX-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMG6602SVTX-7
摘要
MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
详情
MOSFET - 阵列 30V 3.4A（Ta），2.8A（Ta） 840mW（Ta） 表面贴装型 TSOT-26
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A（Ta），2.8A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13nC @ 10V，9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
400pF @ 15V，420pF @ 15V
功率 - 最大值
840mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
TSOT-26
基本产品编号
DMG6602
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMG6602SVTX-7
相关文档
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019)
EDA 模型
1(DMG6602SVTX-7 by Ultra Librarian)
价格
数量: 75000
单价: $0.64105
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.6661
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最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
-