English
Spain
Rusia
Italy
GermanyCSD18542KCS
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD18542KCS
摘要
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
详情
通孔 N 通道 60 V 200A（Ta） 200W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
44 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5070 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
CSD18542
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-42271-5
TEXTISCSD18542KCS
296-CSD18542KCS
2156-CSD18542KCS
296-42271-5-ND
CSD18542KCS-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD18542KCS
相关文档
规格书
1(CSD18542KCS Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
PCN 组装/来源
1(Site Chg 04/Dec/2015)
制造商产品页面
1(CSD18542KCS Specifications)
HTML 规格书
1(CSD18542KCS Datasheet)
EDA 模型
1(CSD18542KCS by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $8.77895
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $9.11663
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $9.79189
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $11.81784
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $14.3838
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $17.895
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $19.95
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-