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元器件型号详细信息
原厂型号
RJL6018DPK-00#T0
摘要
MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
详情
通孔 N 通道 600 V 27A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
265 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3830 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
基本产品编号
RJL6018
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc RJL6018DPK-00#T0
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规格书
1(RJL6018DPK)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
HTML 规格书
1(RJL6018DPK)
EDA 模型
1(RJL6018DPK-00#T0 by Ultra Librarian)
价格
-
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