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元器件型号详细信息
原厂型号
RJK6012DPP-A0#T2
摘要
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
详情
通孔 N 通道 600 V 6A（Ta） 29.5W（Ta） TO-220FP
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.37 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
765 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
29.5W（Ta）
工作温度
150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
RJK6012
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc RJK6012DPP-A0#T2
相关文档
规格书
1(RJK6012DPP-E0#T2)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
价格
-
替代型号
-