元器件型号详细信息

原厂型号
CSD17381F4
摘要
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 3.1A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
109 毫欧 @ 500mA,8A
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.35 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
195 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-PICOSTAR
封装/外壳
3-XFDFN
基本产品编号
CSD17381

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

TEXTISCSD17381F4
296-38913-6
2156-CSD17381F4
-296-38913-1-ND
296-38913-1
296-38913-2
CSD17381F4-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Texas Instruments CSD17381F4

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规格书
1(CSD17381F4)
特色产品
1(Power Management)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014)
PCN 封装
1(Carrier Tape 28/Aug/2018)
制造商产品页面
1(CSD17381F4 Specifications)
HTML 规格书
1(CSD17381F4)
EDA 模型
()

价格

数量: 30000
单价: $0.58432
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $0.6038
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $0.66223
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $0.70118
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $0.77909
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $1.01282
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $1.4803
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $2.377
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $3.18
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
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数量: 500
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最小包装数量: 1

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