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Germany1N6008B
元器件型号详细信息
原厂型号
1N6008B
摘要
DIODE ZENER 22V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 22 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
22 V
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
55 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 17 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 200°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
1N6008
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/onsemi 1N6008B
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规格书
1(1N5985 - 1N6025B)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 设计/规格
1(Die Dimension 02/Nov/2007)
HTML 规格书
1(1N5985 - 1N6025B)
价格
-
替代型号
型号 : 1N5251B
制造商 : onsemi
库存 : 10,357
单价. : ¥1.46000
替代类型. : 直接
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型号 : 1N4748A
制造商 : onsemi
库存 : 8,592
单价. : ¥2.27000
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型号 : 1N5251B TR PBFREE
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库存 : 9,754
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制造商 : Microchip Technology
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型号 : BZX55C22-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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型号 : 1N5251B-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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型号 : BZX55B22-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,833
单价. : ¥1.78000
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型号 : BZX55B22-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥0.21980
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