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GermanyFDP020N06B-F102
元器件型号详细信息
原厂型号
FDP020N06B-F102
摘要
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详情
通孔 N 通道 60 V 120A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
268 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20930 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
333W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP020
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDP020N06B_F102-ND
FDP020N06B-ND
FDP020N06B_F102
FDP020N06B
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDP020N06B-F102
相关文档
规格书
1(FDP020N06B_F102)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Capacity Expansion 29/Oct/2021)
PCN 封装
()
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
价格
数量: 2000
单价: $24.88125
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $26.19079
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $31.05486
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $36.4797
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $44.527
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $49.61
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-