English
Spain
Rusia
Italy
GermanySQD50N04-09H-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQD50N04-09H-GE3
摘要
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 50A（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
76 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4240 pF @ 25 V
FET 功能
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
SQD50N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SQD50N04-09H-GE3DKR
SQD50N0409HGE3
SQD50N04-09H-GE3TR
SQD50N04-09H-GE3-ND
SQD50N04-09H-GE3CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQD50N04-09H-GE3
相关文档
规格书
1(SQD50N04-09H)
PCN 产品变更/停产
1(SIL-055-2014-Rev-1 25/Jul/2014)
HTML 规格书
1(SQD50N04-09H)
价格
-
替代型号
型号 : FDD8647L
制造商 : onsemi
库存 : 21,509
单价. : ¥11.37000
替代类型. : 类似
库存 : 21,509
单价. : ¥11.37000
替代类型. : 类似
型号 : IPD50N04S408ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 759
单价. : ¥10.18000
替代类型. : 类似
库存 : 759
单价. : ¥10.18000
替代类型. : 类似
型号 : IPD50N04S410ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,000
单价. : ¥9.14000
替代类型. : 类似
库存 : 5,000
单价. : ¥9.14000
替代类型. : 类似
型号 : IRFR3504ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 16,621
单价. : ¥11.61000
替代类型. : 类似
库存 : 16,621
单价. : ¥11.61000
替代类型. : 类似
型号 : IPD50N04S4L08ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 917
单价. : ¥9.70000
替代类型. : 类似
库存 : 917
单价. : ¥9.70000
替代类型. : 类似