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GermanyTPH3202PD
元器件型号详细信息
原厂型号
TPH3202PD
摘要
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
详情
通孔 N 通道 600 V 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Transphorm
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
350 毫欧 @ 5.5A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 480 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
65W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Transphorm TPH3202PD
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规格书
1(TPH3202P)
产品培训模块
1(GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies)
视频文件
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 02/Apr/2018)
HTML 规格书
1(TPH3202P)
价格
-
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