元器件型号详细信息

原厂型号
DVR3V3W-7
摘要
TRANS NPN 18V 1A SOT363
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN + 齐纳二极管(隔离式) 18 V 1 A 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-363
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
晶体管类型
NPN + 齐纳二极管(隔离式)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
1 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
18 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
500mV @ 30mA,300mA
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
150 @ 100mA,1V
功率 - 最大值
200 mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
DVR3V3

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

DVR3V3WDICT
DVR3V3WDITR
DVR3V3WDIDKR
DVR3V3W7

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单双极晶体管/Diodes Incorporated DVR3V3W-7

相关文档

规格书
1(DVR1V8W - DVR5V0W)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Discrete Family 16/Aug/2010)
HTML 规格书
1(DVR1V8W - DVR5V0W)

价格

-

替代型号

-