SISS30DN-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SISS30DN-T1-GE3

摘要

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

详情

表面贴装型 N 通道 80 V 15，9A（Ta），54，7A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK® 1212-8S

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

78 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

15，9A（Ta），54，7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

7.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

8，25 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.8V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

40 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1666 pF @ 10 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

4.8W（Ta），57W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8S

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8S

基本产品编号

SISS30

其它名称

SISS30DN-T1-GE3DKR-ND

SISS30DN-T1-GE3DKR

SISS30DN-T1-GE3CT

742-SISS30DN-T1-GE3CT

SISS30DN-T1-GE3TR

742-SISS30DN-T1-GE3TR

SISS30DN-T1-GE3CT-ND

SISS30DN-T1-GE3TR-ND

742-SISS30DN-T1-GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SISS30DN-T1-GE3

价格

数量: 15000

单价: $3.55938
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 6000

单价: $3.69841
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 3000

单价: $3.89307
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $4.17115
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.28346
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.3954
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.204
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $9.14
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $4.17115
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.28346
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.3954
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.204
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $9.14
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

CX10S-BC0BHC-P-A-DK00000 RC1218FK-0711K5L C320C242JAG5TA7301 S-882145AMH-M2UTFU 0603J2505P60DCR

SISS30DN-T1-GE3

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号