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元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6721STRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ SQ
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.3 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1430 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.2W（Ta），42W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET™ SQ
封装/外壳
DirectFET™ 等容 SQ
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF6721STRPBFTR
SP001530858
IRF6721STRPBF-ND
IRF6721STRPBFCT
IRF6721STRPBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF6721STRPBF
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规格书
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PCN 组装/来源
1(DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
PCN 其他
1(MSL Update 20/Feb/2014)
HTML 规格书
1(IRF6721S(TR)PBF)
仿真模型
1(IRF6721STR1PBF Saber Model)
价格
-
替代型号
-