元器件型号详细信息

原厂型号
STGB20V60F
摘要
IGBT 600V 40A 167W D2PAK
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 40 A 167 W 表面贴装型 D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V,20A
功率 - 最大值
167 W
开关能量
200µJ(开),130µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
116 nC
25°C 时 Td(开/关)值
38ns/149ns
测试条件
400V,20A,15V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
基本产品编号
STGB20

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-14977-2
497-14977-6
-497-14977-2
-497-14977-1
-497-14977-6
497-14977-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGB20V60F

相关文档

规格书
1(STGx20V60F)
视频文件
1(Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles)
PCN 组装/来源
1(IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML 规格书
1(STGx20V60F)
EDA 模型
1(STGB20V60F by Ultra Librarian)

价格

-

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