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GermanyIPP100N08N3GXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP100N08N3GXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
详情
通孔 N 通道 80 V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 46µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2410 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP100N08N3 G
IPP100N08N3GXKSA1-ND
448-IPP100N08N3GXKSA1
IPP100N08N3 G-ND
IPP100N08N3G
SP000680856
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP100N08N3GXKSA1
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1(IPx097,100N08N3 G)
价格
数量: 10000
单价: $6.74264
包装: 管件
最小包装数量: 1
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数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPP200N15N3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 14,473
单价. : ¥25.04000
替代类型. : 直接
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型号 : CSD19533KCS
制造商 : Texas Instruments
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单价. : ¥13.28000
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型号 : TK46E08N1,S1X
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型号 : SQP120N10-09_GE3
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型号 : FDP090N10
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制造商 : IXYS
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单价. : ¥31.45940
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