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元器件型号详细信息
原厂型号
G3R20MT17N
摘要
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
详情
底座安装 N 通道 1700 V 100A（Tc） 523W（Tc） SOT-227
原厂/品牌
GeneSiC Semiconductor
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
G3R™
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 75A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
400 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10187 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
523W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
基本产品编号
G3R20
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N
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规格书
1(G3R20MT17N)
价格
数量: 25
单价: $987.7772
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $1004.422
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $1076.85
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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