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GermanyPSMN4R2-40VSHX
元器件型号详细信息
原厂型号
PSMN4R2-40VSHX
摘要
PSMN4R2-40VSH - DUAL N-CHANNEL 4
详情
MOSFET - 阵列 40V 98A（Ta） 85W（Ta） 表面贴装型 LFPAK56D
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
98A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2590pF @ 25V
功率 - 最大值
85W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-1205，8-LFPAK56
供应商器件封装
LFPAK56D
基本产品编号
PSMN4R2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
1727-PSMN4R2-40VSHXTR
1727-PSMN4R2-40VSHXDKR
934662503115
1727-PSMN4R2-40VSHXCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Nexperia USA Inc. PSMN4R2-40VSHX
相关文档
规格书
1(PSMN4R2-40VSH)
特色产品
1(LFPAK56D Half-Bridge MOSFETs)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022)
EDA 模型
1(PSMN4R2-40VSHX by Ultra Librarian)
价格
数量: 7500
单价: $10.43558
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
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替代型号
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