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GermanyNXH100B120H3Q0STG
元器件型号详细信息
原厂型号
NXH100B120H3Q0STG
摘要
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 50 A 186 W 底座安装 22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
51 周
EDA/CAD 模型
标准包装
24
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
功率 - 最大值
186 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）
200 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
9.075 nF @ 20 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
基本产品编号
NXH100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/onsemi NXH100B120H3Q0STG
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规格书
1(NXH100B120H3Q0, NXH100B120H3Q0PG-R)
视频文件
1(Energy Infrastructure | Solutions for Solar Inverters)
环保信息
()
特色产品
1(Power Integrated Modules)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 27/Dec/2022)
HTML 规格书
1(NXH100B120H3Q0, NXH100B120H3Q0PG-R)
价格
数量: 24
单价: $660.91833
包装: 托盘
最小包装数量: 24
包装: 托盘
最小包装数量: 24
替代型号
型号 : NXH100B120H3Q0PTG
制造商 : onsemi
库存 : 24
单价. : ¥716.42000
替代类型. : 参数等效
库存 : 24
单价. : ¥716.42000
替代类型. : 参数等效