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GermanySTH185N10F3-2
元器件型号详细信息
原厂型号
STH185N10F3-2
摘要
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 180A（Tc） 315W（Tc） H2Pak-2
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
114.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6665 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
315W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
STH185
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-497-15311-1
497-15311-6
-497-15311-2
497-15311-2
497-15311-1
-497-15311-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STH185N10F3-2
相关文档
规格书
1(STH185N10F3-2)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev OBS 2/Apr/2020)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices Testing 10/May/2018)
HTML 规格书
1(STH185N10F3-2)
价格
-
替代型号
型号 : STH180N10F3-2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥44.04000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥44.04000
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型号 : PSMN5R0-80BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥17.73000
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型号 : BUK763R8-80E,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,351
单价. : ¥22.66000
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型号 : BUK964R7-80E,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 800
单价. : ¥27.75000
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