元器件型号详细信息

原厂型号
IQE013N04LM6CGATMA1
摘要
40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
详情
表面贴装,可润湿侧翼 N 通道 40 V 31A(Ta),205A(Tc) 2.5W(Ta),107W(Tc) PG-TTFN-9-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A(Ta),205A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.35 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 51µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
55 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3900 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),107W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装
PG-TTFN-9-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
IQE013

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP005340908
448-IQE013N04LM6CGATMA1DKR
448-IQE013N04LM6CGATMA1CT
448-IQE013N04LM6CGATMA1TR
2156-IQE013N04LM6CGATMA1-448

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IQE013N04LM6CGATMA1

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价格

数量: 5000
单价: $9.86372
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $10.24312
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $11.00183
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $13.27804
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $16.1615
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $20.104
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $22.42
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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数量: 10
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $22.42
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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