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GermanyR6509END3TL1
元器件型号详细信息
原厂型号
R6509END3TL1
摘要
650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 9A（Tc） 94W（Tc） TO-252
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
585 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 230µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
94W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
R6509
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
846-R6509END3TL1TR
846-R6509END3TL1CT
846-R6509END3TL1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor R6509END3TL1
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规格书
1(R6509END3)
产品培训模块
1(Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers)
价格
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