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GermanyFQB27N25TM-F085
元器件型号详细信息
原厂型号
FQB27N25TM-F085
摘要
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 250 V 25.5A（Tc） 417W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
131 毫欧 @ 25.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
417W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FQB2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQB27N25TM_F085TR-ND
FQB27N25TM-F085DKR
FQB27N25TM_F085-ND
FQB27N25TM_F085CT-ND
FQB27N25TM_F085TR
2832-FQB27N25TM-F085TR
FQB27N25TM-F085TR
FQB27N25TM_F085
FQB27N25TM_F085CT
FQB27N25TM_F085DKR-ND
FQB27N25TM-F085CT
FQB27N25TM_F085DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQB27N25TM-F085
相关文档
规格书
1(FQB27N25TM, FQI27N25TU)
视频文件
1(Driving Automotive Technology)
环保信息
()
特色产品
1(One-Stop Automotive Shop)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 24/Jul/2019)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
Forum Discussions
1(On Semiconductor Automotive F085 Status Check)
价格
-
替代型号
型号 : IPB600N25N3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 9,144
单价. : ¥25.44000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥25.44000
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