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GermanyAPTGT50A1202G
元器件型号详细信息
原厂型号
APTGT50A1202G
摘要
IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP2
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 75 A 277 W 底座安装 SP2
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
75 A
功率 - 最大值
277 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）
50 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
3.6 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP2
供应商器件封装
SP2
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
150-APTGT50A1202G
APTGT50A1202G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Microsemi Corporation APTGT50A1202G
相关文档
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 01/Nov/2017)
价格
-
替代型号
-