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GermanyVMO580-02F
元器件型号详细信息
原厂型号
VMO580-02F
摘要
MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
详情
底座安装 N 通道 200 V 580A（Tc） Y3-Li
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
580A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 430A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 50mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2750 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
Y3-Li
封装/外壳
Y3-Li
基本产品编号
VMO580
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
VMO580-02F-NDR
Q1221985A
VMO58002F
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS VMO580-02F
相关文档
规格书
1(VMO580-02F)
PCN 产品变更/停产
1(OBS NOTICE 27/Mar/2023)
HTML 规格书
1(VMO580-02F)
价格
数量: 10
单价: $1463.074
包装: 散装
最小包装数量: 1
包装: 散装
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $1468.12
包装: 散装
最小包装数量: 1
包装: 散装
最小包装数量: 1
替代型号
-