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20250719
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元器件资讯
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SIHG47N60AE-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHG47N60AE-GE3
摘要
MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
详情
通孔 N 通道 600 V 43A(Tc) 313W(Tc) TO-247AC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
43A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
65 毫欧 @ 24A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
182 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3600 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
313W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHG47
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIHG47N60AE-GE3
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规格书
1(SIHG47N60AE)
特色产品
1(MOSFETs in 5G)
PCN 组装/来源
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN 封装
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
HTML 规格书
1(SIHG47N60AE)
价格
数量: 2000
单价: $33.82449
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $35.12545
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $40.32922
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $46.3137
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $55.943
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $61.93
包装: 管件
最小包装数量: 1
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