FDB3632-F085

元器件型号详细信息

原厂型号

FDB3632-F085

摘要

MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 12A（Ta） 310W（Tc） D²PAK（TO-263）

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

800

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

110 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

6000 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

310W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D²PAK（TO-263）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

FDB3632

其它名称

FDB3632_F085DKR

FDB3632_F085TR-ND

FDB3632_F085TR

FDB3632_F085DKR-ND

FDB3632-F085TR

FDB3632_F085CT

FDB3632-F085CT

FDB3632_F085CT-ND

FDB3632-F085DKR

FDB3632_F085

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB3632-F085

价格

-

替代型号

型号 : STB120NF10T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 5,760
单价. : ¥38.00000
替代类型. : 类似

型号 : IXFA130N10T2

制造商 : IXYS
库存 : 46
单价. : ¥44.44000
替代类型. : 类似

型号 : IRFS4410ZTRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 12,191
单价. : ¥23.13000
替代类型. : 类似

型号 : BUK969R3-100E,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥10.62157
替代类型. : 类似

型号 : RSJ650N10TL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 34
单价. : ¥50.24000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN009-100B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥10.84494
替代类型. : 类似

AX5DAF1-699.3266T P34-150XE HA16-5P(PM)(76)M7AFS600-1FG484I CX10S-0GDHCA-P-A-DK00000

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