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最后更新

20250512
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TP65H300G4LSG-TR

元器件型号详细信息

原厂型号
TP65H300G4LSG-TR
摘要
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 6.5A（Tc） 21W（Tc） 3-PQFN（8x8）
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
13 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
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技术参数

制造商
Transphorm
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
312毫欧 @ 5A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.6 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
21W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-PQFN（8x8）
封装/外壳
3-PowerDFN
基本产品编号
TP65H300

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

1707-TP65H300G4LSGDKRINACTIVE
1707-TP65H300G4LSG
1707-TP65H300G4LSGCT
TP65H300G4LSG
1707-TP65H300G4LSG-TRCT
1707-TP65H300G4LSG-ND
1707-TP65H300G4LSG-TRDKR
1707-TP65H300G4LSGCT-ND
1707-TP65H300G4LSGTR-ND
1707-TP65H300G4LSGTR
1707-TP65H300G4LSGDKR
1707-TP65H300G4LSGDKR-ND
1707-TP65H300G4LSG-TR
1707-TP65H300G4LSGCTINACTIVE

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Transphorm TP65H300G4LSG-TR

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1(TP65H300G4LSG)
EDA 模型
1(TP65H300G4LSG by Ultra Librarian)

价格

数量: 3000
单价: $19.34284
包装: 管件
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $20.3609
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $24.14214
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $28.3596
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $34.611
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $38.56
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $20.3609
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $24.14214
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $28.3596
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $34.611
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $38.56
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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